V3PM6-M3/H
IC
DO-220AA(SMP)
可供量大可议
V3PM6-M3/H
特性：低外形封装。 沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗， 高效率。 低正向压降。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值260℃。 可提供AEC-Q101认证。 应用：低压、高频逆变器。 续流
品牌
VISHAY
封装
DO-220AA(SMP)
库存
75
货期
现货
V3PM6-M3/H参数
| 封装 | DO-220AA(SMP) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 75 |
V3PM6-M3/H概述
特性：低外形封装。 沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗， 高效率。 低正向压降。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值260℃。 可提供AEC-Q101认证。 应用：低压、高频逆变器。 续流
V3PM6-M3/H特性
暂无产品特性。
V3PM6-M3/H应用领域
暂无应用领域。