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V3FM10HM3/H-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

V3FM10HM3/H-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.85V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热性能有较高要求的电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

130

货期

现货

V3FM10HM3/H-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存130

V3FM10HM3/H-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.85V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热性能有较高要求的电子系统中。

V3FM10HM3/H-HXY特性

暂无产品特性。

V3FM10HM3/H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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