V3F6HM3/I
IC
DO-219AB(SMF)
可供量大可议
V3F6HM3/I
特性：沟槽MOS肖特基技术。 薄型封装。 适合自动贴装。 正向压降和功率损耗低。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值为260℃。 可采用波峰焊和回流焊。 应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护
品牌
VISHAY
封装
DO-219AB(SMF)
库存
30
货期
现货
V3F6HM3/I参数
| 封装 | DO-219AB(SMF) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
V3F6HM3/I概述
特性：沟槽MOS肖特基技术。 薄型封装。 适合自动贴装。 正向压降和功率损耗低。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值为260℃。 可采用波峰焊和回流焊。 应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护
V3F6HM3/I特性
暂无产品特性。
V3F6HM3/I应用领域
暂无应用领域。