V3F6HM3/H
IC
DO-219AB(SMF)
可供量大可议
V3F6HM3/H
特性：沟槽MOS肖特基技术。 薄型封装。 适合自动贴装。 正向压降低， 功率损耗低。 符合J-STD-020的MSL 1级， 最高峰值温度为260℃。 可进行波峰焊和回流焊。 应用：用于高频逆变器。 续流
Brand
VISHAY
Package
DO-219AB(SMF)
Stock
150
货期
现货
V3F6HM3/HParameters
| 封装 | DO-219AB(SMF) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 150 |
V3F6HM3/H概述
特性：沟槽MOS肖特基技术。 薄型封装。 适合自动贴装。 正向压降低， 功率损耗低。 符合J-STD-020的MSL 1级， 最高峰值温度为260℃。 可进行波峰焊和回流焊。 应用：用于高频逆变器。 续流
V3F6HM3/H特性
暂无产品特性。
V3F6HM3/H应用领域
暂无应用领域。