V35PWM10-M3/I
IC
TO-252
可供量大可议
V35PWM10-M3/I
特性：非常低的外形。 典型高度为1.3mm。 沟槽MOS肖特基技术。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 应用：用于低压高频DC/DC转换器。 续流二极管
品牌
VISHAY
封装
TO-252
库存
43
货期
现货
V35PWM10-M3/I参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 43 |
V35PWM10-M3/I概述
特性：非常低的外形。 典型高度为1.3mm。 沟槽MOS肖特基技术。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 应用：用于低压高频DC/DC转换器。 续流二极管
V35PWM10-M3/I特性
暂无产品特性。
V35PWM10-M3/I应用领域
暂无应用领域。