V35PW60HM3/I
IC
TO-252-3
可供量大可议
V35PW60HM3/I
特性：非常低的外形。 典型高度为 1.3mm。 沟槽 MOS 肖特基技术。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功耗。 高效运行。 应用：低压高频 DC/DC 转换器。 续流二极管
品牌
VISHAY
封装
TO-252-3
库存
39
货期
现货
V35PW60HM3/I参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 39 |
V35PW60HM3/I概述
特性：非常低的外形。 典型高度为 1.3mm。 沟槽 MOS 肖特基技术。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功耗。 高效运行。 应用：低压高频 DC/DC 转换器。 续流二极管
V35PW60HM3/I特性
暂无产品特性。
V35PW60HM3/I应用领域
暂无应用领域。