V35PW45-M3/I
IC
TO-252-3
可供量大可议
V35PW45-M3/I
特性：极低的外形高度， 典型值为 1.3mm。 采用沟槽 MOS 肖特基技术。 适合自动贴装。 正向压降低， 功率损耗低。 高效运行。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级， LF 最大峰值为 260℃。 应用：用于低压高频 DC/DC 转换器。 续流二极管
品牌
VISHAY
封装
TO-252-3
库存
12
货期
现货
V35PW45-M3/I参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 12 |
V35PW45-M3/I概述
特性：极低的外形高度， 典型值为 1.3mm。 采用沟槽 MOS 肖特基技术。 适合自动贴装。 正向压降低， 功率损耗低。 高效运行。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级， LF 最大峰值为 260℃。 应用：用于低压高频 DC/DC 转换器。 续流二极管
V35PW45-M3/I特性
暂无产品特性。
V35PW45-M3/I应用领域
暂无应用领域。