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V30M100M-E3/4W-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

V30M100M-E3/4W-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备30A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.8V, 在高电流工作时仍能维持较低的导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双通道同步续流功能的电路结构中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

38

货期

现货

V30M100M-E3/4W-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存38

V30M100M-E3/4W-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备30A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.8V, 在高电流工作时仍能维持较低的导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双通道同步续流功能的电路结构中。

V30M100M-E3/4W-HXY特性

暂无产品特性。

V30M100M-E3/4W-HXY应用领域

暂无应用领域。

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