V30M100M-E3/4W-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
V30M100M-E3/4W-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备30A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.8V, 在高电流工作时仍能维持较低的导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双通道同步续流功能的电路结构中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
38
货期
现货
V30M100M-E3/4W-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 38 |
V30M100M-E3/4W-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备30A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.8V, 在高电流工作时仍能维持较低的导通损耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双通道同步续流功能的电路结构中。
V30M100M-E3/4W-HXY特性
暂无产品特性。
V30M100M-E3/4W-HXY应用领域
暂无应用领域。
