V30DM100C-M3/I

特性：沟槽MOS肖特基技术。 非常低的外形， 典型高度为1.7mm。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值为260℃。 应用：用于商用、工业和汽车应用中的高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、或二极管和反接电池保护。