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V2FM10-M3/H-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

V2FM10-M3/H-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为100V。 其正向压降为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为20μA, 表现出良好的隔离特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、极性保护以及对效率和热稳定性要求较高的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

2,985

货期

现货

V2FM10-M3/H-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存2985

V2FM10-M3/H-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为100V。 其正向压降为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为20μA, 表现出良好的隔离特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、极性保护以及对效率和热稳定性要求较高的电子电路中。

V2FM10-M3/H-HXY特性

暂无产品特性。

V2FM10-M3/H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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