V2FM10-M3/H-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
V2FM10-M3/H-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为100V。 其正向压降为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为20μA, 表现出良好的隔离特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、极性保护以及对效率和热稳定性要求较高的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
2,985
货期
现货
V2FM10-M3/H-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2985 |
V2FM10-M3/H-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为2A, 最大反向电压为100V。 其正向压降为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流仅为20μA, 表现出良好的隔离特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、极性保护以及对效率和热稳定性要求较高的电子电路中。
V2FM10-M3/H-HXY特性
暂无产品特性。
V2FM10-M3/H-HXY应用领域
暂无应用领域。
