V20PW45-M3/I
IC
TO-252-2
可供量大可议
V20PW45-M3/I
特性：非常低的外形。 典型高度为1.3mm。 沟槽MOS肖特基技术。 适合自动贴装。 正向压降低， 功率损耗低。 高效运行。 应用：用于低压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用
品牌
VISHAY
封装
TO-252-2
库存
2,110
货期
现货
V20PW45-M3/I参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2110 |
V20PW45-M3/I概述
特性：非常低的外形。 典型高度为1.3mm。 沟槽MOS肖特基技术。 适合自动贴装。 正向压降低， 功率损耗低。 高效运行。 应用：用于低压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用
V20PW45-M3/I特性
暂无产品特性。
V20PW45-M3/I应用领域
暂无应用领域。