V20PW22-M3/I
IC
TO-252
可供量大可议
V20PW22-M3/I
特性：极低的外形高度， 典型值为1.3mm。 沟槽MOS肖特基技术。 适合自动贴装。 正向压降小， 功率损耗低。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值温度为260℃。 应用：低压高频DC/DC转换器。 续流二极管
品牌
VISHAY
封装
TO-252
库存
2,430
货期
现货
V20PW22-M3/I参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2430 |
V20PW22-M3/I概述
特性：极低的外形高度， 典型值为1.3mm。 沟槽MOS肖特基技术。 适合自动贴装。 正向压降小， 功率损耗低。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值温度为260℃。 应用：低压高频DC/DC转换器。 续流二极管
V20PW22-M3/I特性
暂无产品特性。
V20PW22-M3/I应用领域
暂无应用领域。