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V20202G-M3/4W-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

V20202G-M3/4W-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)达200V。 其正向压降(VF)为0.92V, 在维持较低导通损耗的同时支持较高电压应用; 反向漏电流(IR)为20μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、双路输出电源及对电压耐受性要求较高的电力转换电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

48

货期

现货

V20202G-M3/4W-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

V20202G-M3/4W-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)达200V。 其正向压降(VF)为0.92V, 在维持较低导通损耗的同时支持较高电压应用; 反向漏电流(IR)为20μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、双路输出电源及对电压耐受性要求较高的电力转换电路。

V20202G-M3/4W-HXY特性

暂无产品特性。

V20202G-M3/4W-HXY应用领域

暂无应用领域。

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