V20202G-M3/4W-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
V20202G-M3/4W-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)达200V。 其正向压降(VF)为0.92V, 在维持较低导通损耗的同时支持较高电压应用; 反向漏电流(IR)为20μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、双路输出电源及对电压耐受性要求较高的电力转换电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
48
货期
现货
V20202G-M3/4W-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
V20202G-M3/4W-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)达200V。 其正向压降(VF)为0.92V, 在维持较低导通损耗的同时支持较高电压应用; 反向漏电流(IR)为20μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、双路输出电源及对电压耐受性要求较高的电力转换电路。
V20202G-M3/4W-HXY特性
暂无产品特性。
V20202G-M3/4W-HXY应用领域
暂无应用领域。
