V20200C-E3/4W-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
V20200C-E3/4W-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达200V。 其正向压降典型值为0.92V, 在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流为20μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受200A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源次级侧以及多路输出电源架构中, 共阴极结构有助于简化电路布局并提升系统集成度。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
37
货期
现货
V20200C-E3/4W-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 37 |
V20200C-E3/4W-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达200V。 其正向压降典型值为0.92V, 在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流为20μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受200A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源次级侧以及多路输出电源架构中, 共阴极结构有助于简化电路布局并提升系统集成度。
V20200C-E3/4W-HXY特性
暂无产品特性。
V20200C-E3/4W-HXY应用领域
暂无应用领域。
