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V20200C-E3/4W-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

V20200C-E3/4W-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达200V。 其正向压降典型值为0.92V, 在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流为20μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受200A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源次级侧以及多路输出电源架构中, 共阴极结构有助于简化电路布局并提升系统集成度。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

37

货期

现货

V20200C-E3/4W-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存37

V20200C-E3/4W-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为20A, 最大反向电压达200V。 其正向压降典型值为0.92V, 在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流为20μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受200A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源次级侧以及多路输出电源架构中, 共阴极结构有助于简化电路布局并提升系统集成度。

V20200C-E3/4W-HXY特性

暂无产品特性。

V20200C-E3/4W-HXY应用领域

暂无应用领域。

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