V20200C-E3/4W
IC
TO-220AB-3
可供量大可议
V20200C-E3/4W
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功耗。 高效运行。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值245℃（适用于TO-263AB封装）。 焊浴温度最高275℃， 持续10s（适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装）。 应用：高频转换器。 开关电源
品牌
VISHAY
封装
TO-220AB-3
库存
27
货期
现货
V20200C-E3/4W参数
| 封装 | TO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 正向压降(Vf) | 1.6V@10A |
| 整流电流 | 10A |
| 工作结温范围 | -40℃~+150℃ |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 27 |
| 二极管配置 | 1对共阴极 |
| 直流反向耐压(Vr) | 200V |
| 反向电流(Ir) | 150uA@200V |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 120A |
V20200C-E3/4W概述
肖特基二极管 1对共阴极 1.6V@10A 200V 10A
V20200C-E3/4W特性
暂无产品特性。
V20200C-E3/4W应用领域
暂无应用领域。