V20150C-E3/4W
IC
TO-220-3
可供量大可议
V20150C-E3/4W
双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器， 采用沟槽MOS肖特基技术， 具有低正向压降、低功耗和高效运行特点
品牌
VISHAY
封装
TO-220-3
库存
50
货期
现货
V20150C-E3/4W参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 50 |
V20150C-E3/4W概述
双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器， 采用沟槽MOS肖特基技术， 具有低正向压降、低功耗和高效运行特点
V20150C-E3/4W特性
暂无产品特性。
V20150C-E3/4W应用领域
暂无应用领域。