V1PM12HM3/H
IC
DO-219AD
可供量大可议
V1PM12HM3/H
特性：非常薄的外形。 典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 沟槽 MOS 肖特基技术。 低正向压降。 低功耗， 高效率。 应用：用于低压高频逆变器、续流、DC/DC 转换器和极性保护应用。 适用于商业、工业和汽车领域
品牌
VISHAY
封装
DO-219AD
库存
4,345
货期
现货
V1PM12HM3/H参数
| 封装 | DO-219AD |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 4345 |
V1PM12HM3/H概述
特性：非常薄的外形。 典型高度为 0.65mm。 适合自动贴装。 沟槽 MOS 肖特基技术。 低正向压降。 低功耗， 高效率。 应用：用于低压高频逆变器、续流、DC/DC 转换器和极性保护应用。 适用于商业、工业和汽车领域
V1PM12HM3/H特性
暂无产品特性。
V1PM12HM3/H应用领域
暂无应用领域。