V1FM10-M3/H
IC
DO-219AB(SMF)
可供量大可议
V1FM10-M3/H
特性：沟槽 MOS 肖特基技术。 薄型封装。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功率损耗。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级， LP 最大峰值为 960℃。 可进行波峰焊和回流焊。 应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC 转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护
Brand
VISHAY
Package
DO-219AB(SMF)
Stock
11,370
货期
现货
V1FM10-M3/HParameters
| 封装 | DO-219AB(SMF) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 11370 |
V1FM10-M3/H概述
特性：沟槽 MOS 肖特基技术。 薄型封装。 适合自动贴装。 低正向压降， 低功率损耗。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级， LP 最大峰值为 960℃。 可进行波峰焊和回流焊。 应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC 转换器以及商业、工业和汽车应用中的极性保护
V1FM10-M3/H特性
暂无产品特性。
V1FM10-M3/H应用领域
暂无应用领域。