V18MLE0603NH

该系列瞬态电压抑制器件采用多层制造技术， 可抑制静电放电事件， 包括 IEC 61000-4-2 或其他电磁兼容性测试标准中规定的事件。 通常用于保护电路板上工作在 18V DC 或更低电压的集成电路和其他组件。 这些器件的制造方法和材料使其具有适合高频衰减/低通滤波电路功能的电容特性， 从而在单个器件中提供抑制和滤波功能。 该系列由半导体陶瓷制成， 采用无铅表面贴装封装， 与现代回流焊和波峰焊工艺兼容。