V12P22-M3/H
IC
TO-277A
可供量大可议
V12P22-M3/H
特性：非常低的外形。 典型高度为1.1mm。 适用于自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 应用：低压高频逆变器。 续流
品牌
VISHAY
封装
TO-277A
库存
40
货期
现货
V12P22-M3/H参数
| 封装 | TO-277A |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
V12P22-M3/H概述
特性：非常低的外形。 典型高度为1.1mm。 适用于自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 应用：低压高频逆变器。 续流
V12P22-M3/H特性
暂无产品特性。
V12P22-M3/H应用领域
暂无应用领域。