V10P20-M3/86A-HXY
IC
TO-277
可供量大可议
V10P20-M3/86A-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有10A的正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.9V, 在导通状态下能有效降低功耗。 反向漏电流(IR)在额定条件下为150μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流与高频开关场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-277
库存
188
货期
现货
V10P20-M3/86A-HXY参数
| 封装 | TO-277 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 188 |
V10P20-M3/86A-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有10A的正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.9V, 在导通状态下能有效降低功耗。 反向漏电流(IR)在额定条件下为150μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流与高频开关场合。
V10P20-M3/86A-HXY特性
暂无产品特性。
V10P20-M3/86A-HXY应用领域
暂无应用领域。
