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V10P20-M3/86A-HXY
IC

TO-277

可供量大可议

V10P20-M3/86A-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有10A的正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.9V, 在导通状态下能有效降低功耗。 反向漏电流(IR)在额定条件下为150μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流与高频开关场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-277

库存

188

货期

现货

V10P20-M3/86A-HXY参数

封装TO-277
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存188

V10P20-M3/86A-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有10A的正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.9V, 在导通状态下能有效降低功耗。 反向漏电流(IR)在额定条件下为150μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流与高频开关场合。

V10P20-M3/86A-HXY特性

暂无产品特性。

V10P20-M3/86A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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