UTT18P10L-TN3-R
自营可供
IC
TO-252-2(DPAK)
UTT18P10L-TN3-R
场效应管(MOSFET) 150W 100V 18A 1个P沟道
品牌
UTC
封装
TO-252-2(DPAK)
交期
现货
批次
26+
UTT18P10L-TN3-R参数
| 封装 | TO-252-2(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | UTC(友顺) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | UTT18P10L-TN3-R |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20,017 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF |
| 输出电容(Coss) | 590pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:100V 电流:18A |
| 封装 | TO-252 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000504 |
UTT18P10L-TN3-R概述
场效应管(MOSFET) 150W 100V 18A 1个P沟道
UTT18P10L-TN3-R特性
- 在VGS = -10V、ID = -18A条件下, RDS(ON) < 0.20 Ω
- 高开关速度