UTD351LAE3-R-VB
IC
SOT-23(TO-236)
可供量大可议
UTD351LAE3-R-VB
SOT23； N—Channel沟道, 30V； 6.5A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.2V
品牌
VBsemi
封装
SOT-23(TO-236)
库存
20
货期
现货
UTD351LAE3-R-VB参数
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
UTD351LAE3-R-VB概述
SOT23； N—Channel沟道, 30V； 6.5A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.2V
UTD351LAE3-R-VB特性
暂无产品特性。
UTD351LAE3-R-VB应用领域
暂无应用领域。