UT8205AG-AG6-R-VB
IC
TSOP-6
可供量大可议
UT8205AG-AG6-R-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款是双N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高效功率管理和电路控制的领域， 尤其适用于要求小尺寸和高性能的模块。 SOT23-6； 2个N—Channel沟道, 20V； 6A； RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.5~1.5V
品牌
VBsemi
封装
TSOP-6
库存
165
货期
现货
UT8205AG-AG6-R-VB参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 165 |
UT8205AG-AG6-R-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款是双N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高效功率管理和电路控制的领域， 尤其适用于要求小尺寸和高性能的模块。 SOT23-6； 2个N—Channel沟道, 20V； 6A； RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.5~1.5V
UT8205AG-AG6-R-VB特性
暂无产品特性。
UT8205AG-AG6-R-VB应用领域
暂无应用领域。