UT6898G-S08-R-VB
IC
SO-8
可供量大可议
UT6898G-S08-R-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N+N沟道场效应管， 采用Trench技术制造， 具有优良的温度特性和高可靠性， 适用于中功率应用场景。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 20V； 10A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=12V； Vth=0.5~1V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
2
货期
现货
UT6898G-S08-R-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
UT6898G-S08-R-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N+N沟道场效应管， 采用Trench技术制造， 具有优良的温度特性和高可靠性， 适用于中功率应用场景。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 20V； 10A； RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V, VGS=12V； Vth=0.5~1V
UT6898G-S08-R-VB特性
暂无产品特性。
UT6898G-S08-R-VB应用领域
暂无应用领域。