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USSD0571P6W
IC

DFN1610-2

可供量大可议

USSD0571P6W

特性:超低泄漏:nA级别。 低工作电压:5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准:IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。 IEC61000-4-5(Lightning)110A(8/20μs)。 应用:手机。 电池保护

品牌

Leiditech

封装

DFN1610-2

库存

50

货期

现货

USSD0571P6W参数

封装DFN1610-2
品牌Leiditech(雷卯电子)
MOQ / SPQ1 / 5
反向截止电压(Vrwm)5V
峰值脉冲功率(Ppp)1.3kW
反向电流(Ir)1uA
工作温度-55℃~+125℃
类型ESD
商品型号USSD0571P6W
单位个
商品重量3.5e-05
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存50
极性单向
钳位电压7V
击穿电压(VBR)6V
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-5
商品名称1 线双向 TVS 二极管
包装方式编带
商品类型静电和浪涌保护(TVS/ESD)

USSD0571P6W概述

特性:超低泄漏:nA级别。 低工作电压:5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准:IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。 IEC61000-4-5(Lightning)110A(8/20μs)。 应用:手机。 电池保护

USSD0571P6W特性

暂无产品特性。

USSD0571P6W应用领域

暂无应用领域。

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