USB260HM3/5BT-HXY
IC
SMB
可供量大可议
USB260HM3/5BT-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V。 其正向压降(VF)典型值为1.7V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合。
Brand
HXY MOSFET
Package
SMB
Stock
45
货期
现货
USB260HM3/5BT-HXYParameters
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
USB260HM3/5BT-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V。 其正向压降(VF)典型值为1.7V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达60A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合。
USB260HM3/5BT-HXY特性
暂无产品特性。
USB260HM3/5BT-HXY应用领域
暂无应用领域。
