库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
USB260HE3/5BT-HXY
IC

SMB

可供量大可议

USB260HE3/5BT-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 在导通状态下具备较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场景, 能够在频繁开关操作中维持稳定性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

45

货期

现货

USB260HE3/5BT-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存45

USB260HE3/5BT-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 在导通状态下具备较低的功耗; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场景, 能够在频繁开关操作中维持稳定性能。

USB260HE3/5BT-HXY特性

暂无产品特性。

USB260HE3/5BT-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件

USB260HE3/5BT-HXY HXY MOSFET | IC-CHIP B2B