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USB260HE3/52T-HXY
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SMB

可供量大可议

USB260HE3/52T-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)低至5μA, 表明在阻断状态下具有良好的绝缘性能。 器件可承受60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、AC-DC整流模块及对恢复速度和能效要求较高的电力电子电路, 在频繁开关操作中保持可靠性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

45

货期

现货

USB260HE3/52T-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存45

USB260HE3/52T-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)低至5μA, 表明在阻断状态下具有良好的绝缘性能。 器件可承受60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频开关电源、AC-DC整流模块及对恢复速度和能效要求较高的电力电子电路, 在频繁开关操作中保持可靠性能。

USB260HE3/52T-HXY特性

暂无产品特性。

USB260HE3/52T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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