USB260-M3/52T-HXY
IC
SMB
可供量大可议
USB260-M3/52T-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 具备低损耗与高耐压特性。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达60A, 适用于高频整流、开关电源及对恢复时间与能效要求较高的电子电路, 在紧凑型设计中可提供稳定可靠的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
45
货期
现货
USB260-M3/52T-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
USB260-M3/52T-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 具备低损耗与高耐压特性。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达60A, 适用于高频整流、开关电源及对恢复时间与能效要求较高的电子电路, 在紧凑型设计中可提供稳定可靠的性能表现。
USB260-M3/52T-HXY特性
暂无产品特性。
USB260-M3/52T-HXY应用领域
暂无应用领域。
