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USB260-M3/52T-HXY
IC

SMB

可供量大可议

USB260-M3/52T-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 具备低损耗与高耐压特性。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达60A, 适用于高频整流、开关电源及对恢复时间与能效要求较高的电子电路, 在紧凑型设计中可提供稳定可靠的性能表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

45

货期

现货

USB260-M3/52T-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存45

USB260-M3/52T-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)为600V, 正向压降(VF)典型值为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 具备低损耗与高耐压特性。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达60A, 适用于高频整流、开关电源及对恢复时间与能效要求较高的电子电路, 在紧凑型设计中可提供稳定可靠的性能表现。

USB260-M3/52T-HXY特性

暂无产品特性。

USB260-M3/52T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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