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USB260-E3/5BT-HXY
IC

SMB

可供量大可议

USB260-E3/5BT-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的导通效率与阻断能力。 器件的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为60A, 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复时间和能效要求较高的电力电子电路中, 可有效支持系统稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

45

货期

现货

USB260-E3/5BT-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存45

USB260-E3/5BT-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的导通效率与阻断能力。 器件的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为60A, 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复时间和能效要求较高的电力电子电路中, 可有效支持系统稳定运行。

USB260-E3/5BT-HXY特性

暂无产品特性。

USB260-E3/5BT-HXY应用领域

暂无应用领域。

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