USB260-E3/5BT-HXY
IC
SMB
可供量大可议
USB260-E3/5BT-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的导通效率与阻断能力。 器件的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为60A, 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复时间和能效要求较高的电力电子电路中, 可有效支持系统稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
45
货期
现货
USB260-E3/5BT-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
USB260-E3/5BT-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复电压(VR)达600V。 其正向压降(VF)为1.7V, 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的导通效率与阻断能力。 器件的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)为60A, 适用于高频开关电源、AC-DC整流及各类对恢复时间和能效要求较高的电力电子电路中, 可有效支持系统稳定运行。
USB260-E3/5BT-HXY特性
暂无产品特性。
USB260-E3/5BT-HXY应用领域
暂无应用领域。
