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USB260-E3/52T-HXY
IC

SMB

可供量大可议

USB260-E3/52T-HXY

该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有2A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.7V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对恢复时间和效率有较高要求的开关电源、AC-DC整流及高频逆变等电路中, 确保在动态负载条件下稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

40

货期

现货

USB260-E3/52T-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存40

USB260-E3/52T-HXY概述

该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有2A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.7V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对恢复时间和效率有较高要求的开关电源、AC-DC整流及高频逆变等电路中, 确保在动态负载条件下稳定运行。

USB260-E3/52T-HXY特性

暂无产品特性。

USB260-E3/52T-HXY应用领域

暂无应用领域。

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