USB260-E3/52T-HXY
IC
SMB
可供量大可议
USB260-E3/52T-HXY
该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有2A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.7V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对恢复时间和效率有较高要求的开关电源、AC-DC整流及高频逆变等电路中, 确保在动态负载条件下稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
40
货期
现货
USB260-E3/52T-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
USB260-E3/52T-HXY概述
该快恢复/高效率二极管为独立式结构, 具有2A的正向电流(IF)和600V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.7V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流(IR)仅为5μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达60A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对恢复时间和效率有较高要求的开关电源、AC-DC整流及高频逆变等电路中, 确保在动态负载条件下稳定运行。
USB260-E3/52T-HXY特性
暂无产品特性。
USB260-E3/52T-HXY应用领域
暂无应用领域。
