US6K4TR
IC
TUMT-6
可供量大可议
US6K4TR
场效应管(MOSFET) 1W 20V 1.5A 2个N沟道
品牌
ROHM
封装
TUMT-6
库存
26,875
货期
现货
US6K4TR参数
| 封装 | TUMT-6 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 批次 | 23+ |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 110pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 26,875 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
US6K4TR概述
场效应管(MOSFET) 1W 20V 1.5A 2个N沟道
US6K4TR特性
暂无产品特性。
US6K4TR应用领域
暂无应用领域。