UPA2814T1S-E2-AT-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）额定漏源电压为30V， 最大连续漏极电流达70A， 栅源电压耐受值为20V。 其导通电阻低至6.5毫欧， 显著减少大电流下的功率损耗与发热。 凭借高电流承载能力与低内阻特性， 该器件适用于高性能电池管理系统、大功率负载开关及服务器电源模块， 能够在高密度电路板中提供稳定的电流控制与优异的热效率表现。