UPA2737GR-E1-AX-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
UPA2737GR-E1-AX-HXY
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备12A的额定漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 可满足中高功率应用需求。 器件导通电阻仅为10mΩ（RDON）， 有效降低导通损耗， 提升整体系统效率。 采用成熟稳定的制造工艺， 确保良好的热稳定性与长期可靠性。 适用于各类电源转换、开关控制、负载管理及便携式电子设备中的高效功率切换场景， 为电路设计提供高性能的基础元件支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
180
货期
现货
UPA2737GR-E1-AX-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 180 |
UPA2737GR-E1-AX-HXY概述
本款P沟道场效应管（MOSFET）具备12A的额定漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 可满足中高功率应用需求。 器件导通电阻仅为10mΩ（RDON）， 有效降低导通损耗， 提升整体系统效率。 采用成熟稳定的制造工艺， 确保良好的热稳定性与长期可靠性。 适用于各类电源转换、开关控制、负载管理及便携式电子设备中的高效功率切换场景， 为电路设计提供高性能的基础元件支持。
UPA2737GR-E1-AX-HXY特性
暂无产品特性。
UPA2737GR-E1-AX-HXY应用领域
暂无应用领域。