UPA2736GR-E1-AX-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具备15A连续漏极电流（ID）和30V漏源击穿电压（VDSS）能力， 导通电阻（RDON）仅为5.8mΩ， 可有效减小导通损耗， 提升系统效率。 器件基于高可靠性工艺设计， 具有良好的热稳定性和耐用性， 适用于电源管理、开关控制、负载调节等多种应用场景。 其P沟道结构适合用于低边开关及逻辑电平驱动电路中， 满足多种高性能电子设备对功率器件的技术需求。