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UMZ1NFHATR-HXY
IC

SOT-363

可供量大可议

UMZ1NFHATR-HXY

这款NPN和PNP组合的双三极管(BJT)产品, 具备卓越的性能参数。 NPN型三极管的最大集电极电流IC为0.15A, 最大集电极-发射极电压VCEO高达50V, 适用于广泛的电源管理设计。 其直流电流增益HFE范围在120至560之间, 确保了信号放大过程中的稳定性和效率。 此外, 该三极管的过渡频率FT为180MHz, 使其在中高频应用中表现出色。 适合用于无线通信设备、消费电子产品以及各种需要精确信号处理的电路中, 提供可靠的支持与性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-363

库存

3,000

货期

现货

UMZ1NFHATR-HXY参数

封装SOT-363
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类三极管(BJT)
库存3000

UMZ1NFHATR-HXY概述

这款NPN和PNP组合的双三极管(BJT)产品, 具备卓越的性能参数。 NPN型三极管的最大集电极电流IC为0.15A, 最大集电极-发射极电压VCEO高达50V, 适用于广泛的电源管理设计。 其直流电流增益HFE范围在120至560之间, 确保了信号放大过程中的稳定性和效率。 此外, 该三极管的过渡频率FT为180MHz, 使其在中高频应用中表现出色。 适合用于无线通信设备、消费电子产品以及各种需要精确信号处理的电路中, 提供可靠的支持与性能。

UMZ1NFHATR-HXY特性

暂无产品特性。

UMZ1NFHATR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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