UMZ1NFHATR-HXY
IC
SOT-363
可供量大可议
UMZ1NFHATR-HXY
这款NPN和PNP组合的双三极管(BJT)产品, 具备卓越的性能参数。 NPN型三极管的最大集电极电流IC为0.15A, 最大集电极-发射极电压VCEO高达50V, 适用于广泛的电源管理设计。 其直流电流增益HFE范围在120至560之间, 确保了信号放大过程中的稳定性和效率。 此外, 该三极管的过渡频率FT为180MHz, 使其在中高频应用中表现出色。 适合用于无线通信设备、消费电子产品以及各种需要精确信号处理的电路中, 提供可靠的支持与性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-363
库存
3,000
货期
现货
UMZ1NFHATR-HXY参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
UMZ1NFHATR-HXY概述
这款NPN和PNP组合的双三极管(BJT)产品, 具备卓越的性能参数。 NPN型三极管的最大集电极电流IC为0.15A, 最大集电极-发射极电压VCEO高达50V, 适用于广泛的电源管理设计。 其直流电流增益HFE范围在120至560之间, 确保了信号放大过程中的稳定性和效率。 此外, 该三极管的过渡频率FT为180MHz, 使其在中高频应用中表现出色。 适合用于无线通信设备、消费电子产品以及各种需要精确信号处理的电路中, 提供可靠的支持与性能。
UMZ1NFHATR-HXY特性
暂无产品特性。
UMZ1NFHATR-HXY应用领域
暂无应用领域。
