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UMZ1N
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IC

SOT-363

UMZ1N

未分类

品牌

CJ

封装

SOT-363

交期

现货

批次

25+

产品参数概述

UMZ1N参数

封装SOT-363
品牌CJ(江苏长电/长晶)
批次25+
晶体管类型NPN+PNP
集射极击穿电压(Vceo)50V
直流电流增益(hFE)120
集电极截止电流(Icbo)100nA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个NPN+1个PNP
分类三极管(BJT)
库存2,323
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)150mA
耗散功率(Pd)150mW
特征频率(fT)180MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV
射基极击穿电压(Vebo)7V

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