UMT1N
自营可供
IC
SOT-363
UMT1N
双晶体管 UMT1N T1 SOT-363
品牌
CJ
封装
SOT-363
交期
现货
批次
24+
UMT1N参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| 批次 | 24+ |
| 晶体管类型 | PNP |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 直流电流增益(hFE) | 560 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 数量 | 2个PNP |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1,983 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 150mA |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 特征频率(fT) | 140MHz |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
UMT1N概述
双晶体管 UMT1N T1 SOT-363