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UMT1N
IC

SOT-23

可供量大可议

UMT1N

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品牌

YANGJIE

封装

SOT-23

库存

1,092

货期

现货

UMT1N参数

封装SOT-23
品牌YANGJIE/扬州扬杰电子
批次2118+
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)50V
直流电流增益(hFE)560
集电极截止电流(Icbo)100nA
工作温度-55℃~+150℃
数量2个PNP
分类三极管(BJT)
库存1092
MOQ / SPQ168 / 1
集电极电流(Ic)150mA
耗散功率(Pd)150mW
特征频率(fT)140MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
射基极击穿电压(Vebo)6V

UMT1N概述

双晶体管 UMT1N T1 SOT-363

UMT1N特性

暂无产品特性。

UMT1N应用领域

暂无应用领域。

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