UMH33NTN
IC
SOT-363
可供量大可议
UMH33NTN
特性：内置偏置电阻， R1 = 2.2kΩ。 一个封装中有两个DTC923TUB芯片。 发射极到基极的高击穿电压， BVE_EBO在IE = 50μA时最小为40V。 低输出导通电阻， R_ON在VI = 5V时典型值为0.6Ω。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 应用：MUTING
品牌
ROHM
封装
SOT-363
库存
5
货期
现货
UMH33NTN参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
UMH33NTN概述
特性：内置偏置电阻， R1 = 2.2kΩ。 一个封装中有两个DTC923TUB芯片。 发射极到基极的高击穿电压， BVE_EBO在IE = 50μA时最小为40V。 低输出导通电阻， R_ON在VI = 5V时典型值为0.6Ω。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 应用：MUTING
UMH33NTN特性
暂无产品特性。
UMH33NTN应用领域
暂无应用领域。