UMG8N
IC
SOT-353
可供量大可议
UMG8N
特性：内置偏置电阻。 一个封装中有两个DTC143Z芯片。 发射极（接地）共型。 内置偏置电阻无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成， 允许输入负偏置， 且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件， 使电路设计简单。 应用：反相器电路。 接口电路
品牌
CJ
封装
SOT-353
库存
1,740
货期
现货
UMG8N参数
| 封装 | SOT-353 |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV |
| 输入电阻 | 6.11kΩ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品名称 | 数字晶体管（内置电阻） |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 数字晶体管 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 1740 |
| 数量 | 2个NPN-预偏置(发射极耦合) |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.3V |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV |
| 电阻比率 | 12 |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
| 商品型号 | UMG8N |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.2e-05 |
UMG8N概述
特性：内置偏置电阻。 一个封装中有两个DTC143Z芯片。 发射极（接地）共型。 内置偏置电阻无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成， 允许输入负偏置， 且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件， 使电路设计简单。 应用：反相器电路。 接口电路
UMG8N特性
- 内置偏置电阻
- 单封装内集成两颗DTC143Z芯片
- 发射极（地）共接型
- 内置偏置电阻， 无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成， 允许输入负偏置， 还能完全消除寄生效应
- 操作时只需设置开/关状态， 便于电路设计
UMG8N应用领域
- 反相器电路
- 接口电路
- 驱动电路