ULN2003V12DR
自营可供
IC
SOIC-16
ULN2003V12DR
达林顿晶体管阵列 ULN2003V12DR
品牌
TI
封装
SOIC-16
交期
现货
批次
26+
ULN2003V12DR参数
| 封装 | SOIC-16 |
|---|---|
| 品牌 | TI(德州仪器) |
| 批次 | 26+ |
| 通道数 | 七路 |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 750mV |
| 输入电流(off) | 250nA |
| 类型 | BJT |
| 商品型号 | ULN2003V12DR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000296 |
| 分类 | 达林顿晶体管阵列 |
|---|---|
| 库存 | 651 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V |
| 最大输入电压(VI) | 5.5V |
| 集电极漏电流(Icex) | 0.5uA |
| 输入电流(on) | 12uA |
| 正向压降(Vf) | 1.2V |
| 商品名称 | 7通道中继和电感负载下沉式驱动器 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 达林顿晶体管阵列 |
ULN2003V12DR概述
达林顿晶体管阵列 ULN2003V12DR
ULN2003V12DR特性
- 7 通道高电流下沉式驱动器
- 支持高达 20V 的输出上拉电压
- 支持宽范围的低电压和高电压中继和电感线圈
- 0.6V 低输出电压(VOL)（典型值）
- 在 3.3V 的逻辑输入上， 每通道具有100mA（典型值）的电流吸收能力
- 在 5.0V 的逻辑输入上， 每通道具有140mA（典型值）的电流吸收能力
- 与 3.3V 和 5.0V 微控制器和逻辑接口兼容
- 内置用于电感反冲保护的内部自振荡二极管
- 输入下拉电阻器可实现三态输入驱动器
- 输入RC缓冲器可消除嘈杂环境中寄生运行
- 低输入和输出泄漏电流
- 易于使用的并行接口
- 静电放电(ESD)保护性能超过 JESD 22 规范要求， 支持2kV 人体模型(HBM)， 500V 充电器件模型(CDM)
- 提供16引脚SOIC和TSSOP封装
ULN2003V12DR应用领域
- 电信应用中继和电感负载驱动
- 消费类应用中继和电感负载驱动
- 工业应用中继和电感负载驱动
- 照明灯和 LED 显示
- 逻辑电平转换器