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ULN2003F12FN-7
IC

UDFN-3030-10-EP

可供量大可议

ULN2003F12FN-7

达林顿晶体管阵列 ULN2003F12FN-7

品牌

DIODES

封装

UDFN-3030-10-EP

库存

4,842

货期

现货

ULN2003F12FN-7参数

封装UDFN-3030-10-EP
品牌DIODES(美台)
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vceo)20V
最大输入电压(VI)5.5V
集射极饱和电压(VCE(sat))750mV
输入电流(off)250nA
类型BJT
分类达林顿晶体管阵列
库存4,842
通道数四路
集电极电流(Ic)1A
工作温度-40℃~+125℃
输入电流(on)12uA
正向压降(Vf)1.2V

ULN2003F12FN-7概述

达林顿晶体管阵列 ULN2003F12FN-7

ULN2003F12FN-7特性

暂无产品特性。

ULN2003F12FN-7应用领域

暂无应用领域。

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