UJ4C075023K4S

750V、23mΩ的G4 SiC FET。 基于独特的“共源共栅”电路配置， 其中常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装， 以生产常关SiC FET器件。 该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件。 采用TO-247-4L封装， 具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性， 非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。