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UJ3D06508TS-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

UJ3D06508TS-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向压降(VF)典型值为1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效减少能量损耗与温升。 适用于高效率电源转换设计, 如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等场景, 满足对功率密度与热管理有较高要求的应用需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

UJ3D06508TS-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

UJ3D06508TS-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向压降(VF)典型值为1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效减少能量损耗与温升。 适用于高效率电源转换设计, 如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等场景, 满足对功率密度与热管理有较高要求的应用需求。

UJ3D06508TS-HXY特性

暂无产品特性。

UJ3D06508TS-HXY应用领域

暂无应用领域。

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