UJ3D06508TS-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
UJ3D06508TS-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向压降(VF)典型值为1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效减少能量损耗与温升。 适用于高效率电源转换设计, 如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等场景, 满足对功率密度与热管理有较高要求的应用需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
23
货期
现货
UJ3D06508TS-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
UJ3D06508TS-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向压降(VF)典型值为1.38V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持高频开关操作, 反向恢复特性优异, 可有效减少能量损耗与温升。 适用于高效率电源转换设计, 如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流转换器等场景, 满足对功率密度与热管理有较高要求的应用需求。
UJ3D06508TS-HXY特性
暂无产品特性。
UJ3D06508TS-HXY应用领域
暂无应用领域。
