UJ3C120150K3S

该碳化硅场效应晶体管（SiC FET）器件基于独特的“共源共栅”电路配置， 其中常开碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si MOSFET）共封装， 以产生常关碳化硅场效应晶体管器件。 该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管（Si IGBT）、硅场效应晶体管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）或硅超结器件。 该器件采用TO247-3封装， 具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性， 非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。