UJ3C065080K3S
IC
TO-247-3
可供量大可议
UJ3C065080K3S
这款碳化硅场效应晶体管（SiC FET）器件基于独特的“共源共栅”电路配置， 在该配置中， 常开型碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si MOSFET）共同封装， 以制成常关型碳化硅场效应晶体管器件。 该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）、硅场效应晶体管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）或硅超结器件。 该器件采用TO - 247 - 3L封装， 具有超低的栅极电荷和出色的反向恢复特性， 非常适合用于开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用
品牌
Qorvo
封装
TO-247-3
库存
6
货期
现货
UJ3C065080K3S参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Qorvo |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
UJ3C065080K3S概述
这款碳化硅场效应晶体管（SiC FET）器件基于独特的“共源共栅”电路配置， 在该配置中， 常开型碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si MOSFET）共同封装， 以制成常关型碳化硅场效应晶体管器件。 该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）、硅场效应晶体管（Si FET）、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）或硅超结器件。 该器件采用TO - 247 - 3L封装， 具有超低的栅极电荷和出色的反向恢复特性， 非常适合用于开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用
UJ3C065080K3S特性
暂无产品特性。
UJ3C065080K3S应用领域
暂无应用领域。