UJ3C065030K3S-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A， 漏源击穿电压达650V， 导通电阻为26mΩ， 栅源电压工作范围为-10V至+25V。 凭借碳化硅材料的物理特性， 器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。 其宽栅压范围增强了驱动兼容性， 同时低导通电阻有助于减少发热， 提升系统整体可靠性与紧凑性。