UH8JT-E3/45-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
UH8JT-E3/45-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置， 额定正向电流（IF）为8A， 最大反向重复电压（VR）为600V， 正向压降（VF）典型值为1.5V， 反向漏电流（IR）低至10μA， 体现出良好的导通与阻断性能。 其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达100A， 适用于高频整流、开关电源及对转换效率和响应速度有较高要求的电力电子应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
10
货期
现货
UH8JT-E3/45-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
UH8JT-E3/45-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置， 额定正向电流（IF）为8A， 最大反向重复电压（VR）为600V， 正向压降（VF）典型值为1.5V， 反向漏电流（IR）低至10μA， 体现出良好的导通与阻断性能。 其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达100A， 适用于高频整流、开关电源及对转换效率和响应速度有较高要求的电力电子应用场合。
UH8JT-E3/45-HXY特性
暂无产品特性。
UH8JT-E3/45-HXY应用领域
暂无应用领域。